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E-Blot接觸式化學發(fā)光電子壓片成像儀

更新時間:2025-06-06

簡要描述:

【背景介紹】WesternBlot:蛋白免疫印跡,是將PAGE電泳分離后的蛋白質(zhì)從凝膠轉(zhuǎn)移到固相支持物NC膜或PVDF膜上,固相載體膜以非共價鍵形式吸附蛋白質(zhì),且能保持電泳分離的多肽類型及其生物學活性不變

背景介紹

Western Blot:蛋白免疫印跡試驗,是將PAGE電泳分離后的蛋白質(zhì)從凝膠轉(zhuǎn)移到固相支持物NC膜或PVDF膜上新趨勢,固相載體膜以非共價鍵形式吸附蛋白質(zhì)質生產力,且能保持電泳分離的多肽類型及其生物學活性不變積極。以固相載體上的蛋白質(zhì)或多肽作為抗原探索,與對應(yīng)的抗體起免疫反應(yīng),再與酶或同位素標記的第二抗體起反應(yīng)產業,經(jīng)過底物顯色或放射自顯影以檢測電泳分離的特異性目的基因表達的蛋白成分滿意度。該技術(shù)現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于分子生物學、生物化學和免疫遺傳學中可持續。

Western Blot顯色的方法主要有以下幾種:

放射性自顯影

底物化學發(fā)光ECL

底物熒光ECF

底物DAB呈色

主要抓手,文獻里最多,也是大家最熟悉的就是底物化學發(fā)光ECL構建。原理是二抗用HRP標記:反應(yīng)底物為過氧化物+魯米諾創新科技,如遇到HRP,即發(fā)光不負眾望,采集該發(fā)光信號高效流通,如暗盒壓膠片法,以及各種化學發(fā)光采集成像系統(tǒng)儀器精準調控。

Western blot 常用的幾種成像方法及優(yōu)劣勢如下:
 

  成像方法優(yōu)勢劣勢
直接顯色法DAB顯色1.操作簡單
2.無需暗房
3.無需成像設(shè)備
4.成本低
1.靈敏度低統籌發展,低豐度蛋白無法檢測
2.定量范圍窄,只有1.5OD體系,表達差異大的蛋白無法準確定量
化學發(fā)光法暗房壓片1.壓片過程沒有光損失生產製造,靈敏度,可以實現(xiàn)極微弱信號的成像
2.無需購置設(shè)備
1.需要一個獨立的暗房             
2.定量范圍窄攜手共進,只有1.8OD共同,表達差異大的蛋白無法準確定量
3.需要膠片、顯影液定影液等耗材                          
冷CCD成像1.定量范圍高經過,高達4.8OD,表達量差異大的蛋白可以準確定量
2.檢測靈敏度高
1.成像過程有大量的光損失簡單化,達不到壓片的靈敏度,非常低豐度的蛋白檢測不到  
2.需要購置冷 CCD 成像設(shè)備明確了方向、維護成本                        
熒光法RGB可見熒光1.可以實現(xiàn)多重檢測1.Western Blot膜本身的熒光背景非常高系統性,導致成像靈敏度非常低,低豐度蛋白檢測不到
2.操作過程需要在避光的環(huán)境下進行
3.熒光抗體種類不夠多且成本高
4.多重檢測需要做大量的實驗條件優(yōu)化
5.需要特殊的試劑
6.熒光成像設(shè)備成本高
近紅外熒光1.可以實現(xiàn)多重檢測 
2.相對于可見熒光背景低
1.Western Blot膜本身的熒光背景導致成像靈敏度不夠單產提升,低豐度蛋白檢測不到   
2.操作過程需要在避光的環(huán)境下進行   
3.熒光抗體種類不夠多且成本高
4.多重檢測需要做大量的實驗條件優(yōu)化
5.需要特殊的試劑
6.近紅外熒光成像設(shè)備成本非常高

在各種成像方法中傳遞,冷CCD化學發(fā)光成像由于具有操作簡單、靈敏度高勞動精神、定量范圍寬等優(yōu)勢開展攻關合作,成為了歡迎的成像方法製度保障,超過99%的科研人員再使用。

但是的有效手段,隨著科研的不斷深入統籌推進,科研人員反應(yīng)Western blot也越來越難做,科學家在Western bot方面面臨的難題具體表現(xiàn)在:

1.高豐度表達的蛋白都被做完了應用情況,剩下的盡是低豐度表達的蛋白保護好,需要更加靈敏的成像技術(shù)。

2.容易獲取的樣品都被做完了表現,剩下的盡是不容易獲取的樣品特點,一份樣品要做多個實驗,也是需要更加靈敏的成像技術(shù)結論,且要求實驗盡量要一次能做成和諧共生,沒有樣品用來做大量的條件優(yōu)化。

3.蛋白表達差異大的都被做掉了適應性強,剩下的盡是些蛋白表達差異不大技術交流,需要能準確定量的成像技術(shù)。

雖然冷 CCD 化學發(fā)光成像方法有多種優(yōu)勢相對較高,被絕大多數(shù)人使用資源配置,但是由于其本身的技術(shù)限制,在面臨超低豐度蛋白相關、稀有樣品和表達差異不大的樣品時就顯得無能為力了大力發展,這些隨著科研逐步深入所帶來的難題急需新的技術(shù)出現(xiàn)來解決。
這些技術(shù)限制包括:

1.冷CCD成像儀器所用的芯片本身太小生產效率,大多只有 1 英寸或者更小產能提升,信號獲取的能力遠遠不夠,導致微弱信號不能被采集到節點。

2.冷CCD成像儀器成像芯片本身的單個像素尺寸太小通過活化,邊長一般在3-6um之間,像素太小導致芯片本身儲存信號的能力太小的特點,導致信號極易過度曝光健康發展,無法準確定量。

3.冷CCD成像Western blot膜離CCD距離太遠大數據,導致絕大部分的光信號傳輸過程中直接損失掉了長效機製,并未到達CCD感光芯片,進一步降低信號采集的能力高效化。

4.冷CCD成像需要前面加一個鏡頭才能實現(xiàn)成像製高點項目,鏡頭內(nèi)部都有一系列的透鏡組為產業發展,這些透鏡組也會將本就非常微弱的化學發(fā)光信號阻擋掉一大半範圍和領域。

5.冷CCD成像所需成像時間太長有所增加,CCD本身的噪音隨著時間的延長會隨之積累,弱信號會被這些噪音所掩蓋掉以至于不能成像更高要求。

eBlot接觸式成像技術(shù)越來越重要的位置,是成像領(lǐng)域的革命性突破。這項革命性創(chuàng)新的技術(shù)克服了現(xiàn)有技術(shù)在成像靈敏度共同學習、定量范圍順滑地配合、成像速度和儀器體積大等諸多瓶頸,實現(xiàn)了Western Blot成像技術(shù)新的飛躍效高。

產(chǎn)品概述

1.E-Blot采用超大尺寸感光芯片前沿技術,讓Western Blot化學發(fā)光成像進入新時代。不同于傳統(tǒng)的暗室壓片性能,不同于常用的制冷CCD圖像采集多種方式,E-Blot讓樣品和感光芯片親密接觸,兼顧光學膠片的高靈敏以及CCD相機的方便性實力增強。

2.E-Blot有超寬的動態(tài)采集范圍體系流動性,可以對弱信號、強信號同時捕捉帶來全新智能,整個過程非常優(yōu)雅實現了超越。

3.沒有長時間的等待,沒有各種條件摸索去完善,眨眼間幾秒時間就能得到真實的數(shù)據(jù)橋梁作用。

4.E-Blot尺寸比A4紙還小,裸機不到1kg脫穎而出。獲得德國紅點設(shè)計獎拓展應用,型于外而慧于中。

5.Touch viewer操作結構、分析軟件能夠便捷的進行圖像采集管理、分析等工作,非常便捷能力建設。

產(chǎn)品參數(shù)

成像面積

15cm*11cm

預冷

無需

像素融合

無需

A/D動態(tài)范圍 

16bit(真實)

滿阱電子容量

百萬級e-

像素融合

無需

采集時間

1秒-60秒

曝光模式

信號累計

拍攝模式 

手動/自動

光源控制

化學發(fā)光模樣、落射白光

設(shè)備體積

25cm(長)*12cm(寬)*5cm(高)

系統(tǒng)凈重

650g

連接方式

RJ45


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